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什麼是FRAM / FeRAM ?
來源:富士通半導體 / 2013-12-17
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FRAM(Ferroelectric RAM)(鐵電隨機存取記憶體),縮寫為FeRAM FRAM。 這種記憶體採用鐵電質膜用作電容器來儲存資料。 FRAM具有ROM(唯讀記憶體)和RAM(隨機存取器),在高速寫入、高耐受力、低功耗和防竄改方面具有優勢。

 

FRAM 優勢 

 

非揮發性
• 即使沒有上電,也可以保存所儲存的資訊。
• 與SRAM相比,無需電池(環保產品)

更高速度寫入
• 像SRAM一樣,可覆寫
不需要擦除指令
• 對於擦/寫操作,無等待時間
• 寫入週期時間 = 讀取周期時間
• 寫入時間: EEPROM的1/30,000

具有更高的耐受力
• 確保最大1012寫入周期(100萬兆周期)/位的耐久力
• 操作壽命:超過100萬次的 EEPROM

具有更低的功耗
• 不需要使用加壓電路
• 功耗:低於1/400的E2PROM 

 

FRAM和其它元件間規格差異的比較表

 

 

FRAM

EEPROM 

Flash

SRAM

記憶體類別

非揮發性

非揮發性

非揮發性

揮發性

資料改寫方法

覆寫

擦除 + 覆寫

扇面擦除 + 寫入

改寫

寫入周期時間

150ns

5ms

10µs

55ns 

耐久力

1012

(1萬兆次周期)

106

(100萬次周期)

105

(10萬次周期)

無限制

寫入操作電流

5mA(典型值)

15mA

(最大值)

5mA

(最大值)

20mA

(最大值)

8mA

(典型值)

待機電流

5µA(典型值)

50µA

(最大值)

2µA(最大值)

100µA

(最大值)

0.7µA

(典型值)

3µA

(最大值)

 

 

 

 

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